[发明专利]具有轻掺杂漏极结构的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200510008029.5 | 申请日： | 2005-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1655366A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 崔圭焕 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种具有LDD结构的薄膜晶体管，其可以改善其沟道可靠性与输出特性。一半导体层包括源/漏极区域、一位于源/漏极区域之间的沟道区域、以及一位于沟道区域和源/漏极区域之间的LDD区域，其中在半导体层上掺杂的离子的投射范围从LDD区域中的半导体层的表面扩展到第一深度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 结构 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其包括：一半导体层，其包括：一源极区域和一漏极区域；一在源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及一在沟道区域和源极区域之间或沟道区域和漏极区域之间的轻掺杂漏极(LDD)区域，其中，所述半导体层中掺杂的离子的投影范围从轻掺杂漏极区域中的半导体层的表面扩展到第一深度。
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