[发明专利]薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200510008063.2 | 申请日： | 1992-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1652312A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦;间濑晃;鱼地秀贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造绝缘栅场效应晶体管的方法，包括步骤：在一玻璃基片上形成包括氮化硅的第一绝缘层；采用CVD方法在所述第一绝缘层上形成包括氧化硅的第二绝缘层；采用CVD方法在所述第二绝缘层上形成包括非晶体硅的半导体膜；并且使所述半导体膜结晶，其中，在形成所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述半导体膜的全部步骤中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述半导体膜在不使所述玻璃基片暴露于空气中的条件下形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
