[发明专利]发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200510008075.5 申请日: 2005-02-08
公开(公告)号: CN1819282A 公开(公告)日: 2006-08-16
发明(设计)人: 蔡宗良;温伟值;江昌翰;张智松 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 上海市华诚律师事务所 代理人: 徐申民
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种发光二极管及其制作方法。形成发光二极管多晶结构于基材上,蚀刻此发光二极管多晶结构,形成孔洞,之后将透明介电材料填入孔洞。利用黏着层,将导电基材与发光二极管多晶结构贴合,并接着移除基材。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种发光二极管的制作方法,其特征在于,包括:提供基材;形成发光二极管多晶结构于所述基材上;蚀刻所述发光二极管多晶结构,以形成孔洞;形成透明介电层于所述孔洞中;接合导电基材与该发光二极管多晶结构;以及移除所述基材。
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