[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 200510008075.5 | 申请日: | 2005-02-08 |
公开(公告)号: | CN1819282A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 蔡宗良;温伟值;江昌翰;张智松 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 徐申民 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种发光二极管及其制作方法。形成发光二极管多晶结构于基材上,蚀刻此发光二极管多晶结构,形成孔洞,之后将透明介电材料填入孔洞。利用黏着层,将导电基材与发光二极管多晶结构贴合,并接着移除基材。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管的制作方法,其特征在于,包括:提供基材;形成发光二极管多晶结构于所述基材上;蚀刻所述发光二极管多晶结构,以形成孔洞;形成透明介电层于所述孔洞中;接合导电基材与该发光二极管多晶结构;以及移除所述基材。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510008075.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。