[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 200510008076.X | 申请日： | 2005-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1819283A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗良;温伟值;江昌翰;张智松 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制作方法。形成发光二极管多晶结构于基材上，之后蚀刻部分发光二极管多晶结构，以形成孔洞，再将透明介电材料填入孔洞中。之后，依序形成欧姆接触层及反射层，并蚀刻反射层及欧姆接触层，以暴露透明介电材料，最后形成黏着导电复合层，通过黏着导电复合层与透明介电材料黏着，以固定欧姆接触层与反射层于发光二极管多晶结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包含：提供基材；形成发光二极管多晶结构于该基材上；蚀刻该发光二极管多晶结构，以形成孔洞；将透明介电材料填入该孔洞中；形成欧姆接触层；形成反射层；蚀刻该反射层及该欧姆接触层，以暴露该透明介电材料；以及形成黏着导电复合层，通过该黏着导电复合层与透明介电材料黏着，以固定该欧姆接触层与该反射层于该发光二极管多晶结构。
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