[发明专利]晶片的清洗方法以及栅极结构的制造方法有效
| 申请号： | 200510008130.0 | 申请日： | 2005-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1815693A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吴至宁;李忠儒;廖宽仰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶片的清洗方法，此方法适于定义出栅极结构之后。其中，此栅极结构从基底表面由下而上依次为栅介电层、含氮的阻挡层与含硅的栅极层。此外，其清洗方法使用磷酸溶液与氢氟酸溶液对基底进行清洗。因此，上述的清洗方法可去除晶片上由含氮的阻挡层与含硅的栅极层所生成的氮化硅残留物，并减少污染物与微粒附着，进而提高工艺的成品率、元件品质及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 方法 以及 栅极 结构 制造 | ||
【主权项】：
1、一种晶片的清洗方法，适于定义出一栅极结构之后，该栅极结构从一基底表面由下而上依次为一栅介电层、一含氮的阻挡层与一含硅的栅极层，该清洗方法使用磷酸溶液与氢氟酸溶液对该基底进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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