[发明专利]可实施老化与电性测试的晶圆及其实施方法无效
申请号: | 200510008164.X | 申请日: | 2005-02-08 |
公开(公告)号: | CN1818694A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 陈英烈;卜令楷;吴宗佑;陈俊荣 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 台湾省台南县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种可实施老化与电性测试的晶圆(wafer)及其实施方法,此晶圆包括第一裸晶(die)、切割道(scribe line)、第一老化图案生成电路(aging pattern generation circuit)与电极垫(pad)。切割道形成于第一裸晶之外的晶圆上,而第一老化图案生成电路用以对第一裸晶进行老化(aging)测试。电极垫设置于切割道上并与第一老化图案生成电路电性连接,电极垫用以与一电压源电性连接。本发明改变现有于封装后才进行老化测试的过程,于晶圆上即同时进行老化与电性测试,可大幅提高效率,并节省原料成本耗费。 | ||
搜索关键词: | 实施 老化 测试 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆,包括:一第一裸晶;一切割道,形成于该第一裸晶之外的该晶圆上;一第一老化图案生成电路,该第一老化图案生成电路用以对该第一裸晶进行老化测试;以及一电极垫,设置于该切割道上并与该第一老化图案生成电路电性连接,该电极垫用以与一电压源电性连接。
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