[发明专利]超薄SOI纵向双极型晶体管及其方法有效
| 申请号： | 200510008195.5 | 申请日： | 2005-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1661811A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 何磊;马亨德·库马尔;欧阳齐庆;鲍尔·A·帕普沃斯;克里斯托弗·D·雪劳;迈克尔·D·斯泰格沃尔特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种不具有掺杂杂质的集电极的“无集电极”绝缘体上硅(SOI)双极面结型晶体管(BJT)。代替地，当它操作时，本发明的纵向SOI BJT使用感生背面栅极、少数载流子反型层作为固有集电极。根据本发明，SOI衬底被施加偏压使得反型层在用作集电极的基极区域底部形成。这种器件的优点是它的类CMOS工艺。因此，集成方案可以简化并且制造成本可以显著减少。本发明也提供一种使用关于厚BOX的常规SOI起始晶片在非常薄BOX的所选区域上制造BJT的方法。双极型器件下面减小的BOX厚度允许与CMOS相适合的显著减小的衬底偏压被施加，同时维持CMOS下厚BOX的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 soi 纵向 双极型 晶体管 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极型晶体管，包括：用于接收偏压的导电背电极；位于所述导电背电极之上的绝缘层；位于所述绝缘层之上的第一半导体层，所述第一半导体层包括基极和非固有集电极，基极包含第一导电型掺杂剂，非固有集电极包含第二导电型掺杂剂，所述非固有集电极与所述基极邻接；以及位于所述基极一部分之上的发射极，发射极包括第二导电型掺杂剂的第二半导体层，其中所述导电背电极被施加偏压，以在所述基极区域中在所述第一半导体层和所述绝缘层之间的交界处形成反型电荷层。
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