[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510008217.8 | 申请日： | 2005-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1652324A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 金相洙;金炳善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造具有非易失性存储单元的半导体器件的方法，其包括形成作为存储单元的最上面/最外面部分的绝缘层，以提高存储单元的充电保持能力。绝缘层是在非易失性存储单元的栅极结构和栅极间电介质，以及逻辑晶体管的栅极形成之后形成的。因此，绝缘层增强了栅极间电介质的功能。接下来，在衬底上，包括在逻辑晶体管的栅极的上方形成导电层。之后，在逻辑晶体管的栅极上以及与栅极的相对侧相邻的衬底上形成硅化物层。因此，所述绝缘层还用于防止在该非易失性存储单元上的硅化物层的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：准备一衬底，其包括将在其上形成一逻辑晶体管的第一区域和将在其上形成一非易失性存储单元的第二区域；在衬底的第二区域形成非易失性存储单元，其包括形成作为非易失性存储单元的最上面部分以增强存储单元充电保持能力的绝缘层；和在衬底的第一区域形成逻辑晶体管，其包括在第一区域选择性地形成硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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