[发明专利]图形化应变的半导体衬底和器件有效
| 申请号： | 200510008258.7 | 申请日： | 2005-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1725437A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;拉马查恩德拉·德瓦卡鲁尼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种方法，它包括在衬底上形成应变材料和弛豫材料的图形；在应变材料中形成应变器件；以及在弛豫材料中形成非应变器件。在一个实施方案中，应变材料是处于拉伸或压缩状态的硅(Si)，而弛豫材料是处于正常状态的Si。硅锗(SiGe)、碳化硅(SiC)、或相似材料的缓冲层被形成在衬底上，且具有与衬底的晶格常数/结构失配。SiGe、SiC、或相似材料的弛豫层被形成在缓冲层上，并使应变材料处于拉伸或压缩状态。在另一实施方案中，掺碳的硅或掺锗的硅被用来形成应变材料。此结构包括其上图形化有应变材料和非应变材料的多层衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 应变 半导体 衬底 器件 | ||
【主权项】：
1.一种方法，它包含：在衬底上形成应变材料和弛豫材料的图形；在应变材料中形成应变器件；以及在弛豫材料中形成非应变器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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