[发明专利]间隙壁的移除方法及金属氧化物半导体晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200510008283.5 | 申请日： | 2005-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1825550A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 吴至宁;李忠儒;廖宽仰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种间隙壁的移除方法，适于一金属氧化物半导体晶体管形成之后。此金属氧化物半导体晶体管包括位于基底上的栅极、位于栅极侧壁上的间隙壁以及位于间隙壁侧边的基底中的源极区与漏极区。此间隙壁的移除方法于无光的环境下进行湿式蚀刻工艺，如此在移除间隙壁时，可避免损伤金属氧化物半导体晶体管中的源极区与漏极区。本发明还涉及金属氧化物半导体晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 方法 金属 氧化物 半导体 晶体管 制造 | ||
【主权项】：
1、一种间隙壁的移除方法，适于一金属氧化物半导体(MOS)晶体管形成之后，该金属氧化物半导体晶体管包括位于一基底上的一栅极结构、位于该栅极结构侧壁上的一间隙壁以及位于该间隙壁侧边的该基底中的一源极区与一漏极区；该间隙壁的移除方法于无光的环境下进行一湿式蚀刻工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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