[发明专利]制备光学半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200510008290.5 | 申请日： | 2005-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1667845A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 末广一郎;堀田佑治 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备光学半导体装置的方法，该方法包括：(1)在一个或多个安装于导体上的光学半导体元件上形成树脂层；及(2)模压于步骤(1)中形成的树脂层，其中每个光学半导体元件具有从其安装侧面至发光侧面逐渐变细的纵向断面。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 光学 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备光学半导体装置的方法，该方法包括：(1)在一个或多个安装于导体上的光学半导体元件上，形成树脂层；及(2)模压于步骤(1)中形成的树脂层，其中每个光学半导体元件具有从其安装侧面至发光侧面逐渐变细的纵向断面。
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