[发明专利]发光器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200510008322.1 申请日: 2001-05-14
公开(公告)号: CN1642373A 公开(公告)日: 2005-07-20
发明(设计)人: 山形裕和;高桥正弘 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;H05B33/14;H05B33/20;C09K11/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法,从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法,其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层,并借助于继续蒸发发光材料,同时停止蒸发掺杂剂,而制作由发光材料构成的第二发光层。结果,提高了各个发光层的连续性,从而能够得到优异的发光性能。
搜索关键词: 发光 器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造有源阵列发光器件的方法,包括:用蒸发方法在一个衬底上形成包含第一发光材料和掺杂剂的一个红色发光层;通过停止蒸发所述掺杂剂并同时继续蒸发所述第一发光材料,在所述红发光层上形成包含所述第一发光材料的一个绿色发光层;形成包含叠置在所述红色发光层和所述绿色发光层上的第二发光材料的一个兰色发光层;以及形成一个包含导电聚合物的空穴注入层,其中,通过将分别从所述红色发光层、所述绿色发光层和所述兰色发光层发射的红光、绿光和兰光相混合而得到白光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510008322.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top