[发明专利]氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件有效
| 申请号： | 200510008473.7 | 申请日： | 2005-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1677775A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 狩野隆司;山口勤;伊豆博昭;畑雅幸;野村康彦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物系半导体元件的制造方法，该氮化物系半导体元件使用了条状的位错集中区域和非位错集中区域交互地存在、位错集中区域从表面贯通到背面的氮化物系半导体基板，其特征在于：包括以下的工序：层叠工序，在所述氮化物系半导体基板的非位错集中区域的表面上层叠氮化物系半导体层；槽形成工序，在氮化物系半导体基板的表面上、在沿着所述位错集中区域的附近的非位错集中区域形成槽；在此，该槽形成工序在所述层叠工序之前进行。
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