[发明专利]氮化物系半导体发光元件有效
| 申请号： | 200510008476.0 | 申请日： | 2005-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1667847A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 国里竜也;广山良治;畑雅幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可提高光取出效率的氮化物系半导体发光元件。该氮化物系半导体发光元件包括：在导电性基板表面上形成的第一氮化物系半导体层；在第一氮化物系半导体层上形成的活性层；在活性层上形成的第二氮化物系半导体层；和，在第二氮化物系半导体层上形成、载流子浓度比第二氮化物系半导体层的载流子浓度低的光透过层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物系半导体发光元件，其特征在于：它包括：在导电性基板表面上形成的第一导电型的第一氮化物系半导体层；由在所述第一氮化物系半导体层上形成的氮化物系半导体层构成的活性层；在所述活性层上形成的第二导电型的第二氮化物系半导体层；和在所述第二氮化物系半导体层上形成、由载流子浓度比所述第二氮化物系半导体层的载流子浓度低的氮化物系半导体层构成的光透过层。
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