[发明专利]用于读出放大器的半导体存储装置和激活信号产生方法有效
| 申请号： | 200510008490.0 | 申请日： | 2005-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1747056A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 清水宏 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C7/06;G11C7/14;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储装置，包括：包括多个存储单元的单元阵列；读出放大器；包括多条哑位线的自定时单元，其基于其数据被读出的存储单元位置来选择哑位线，并在读数据时产生用于控制读出放大器的激活定时的激活信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 读出 放大器 半导体 存储 装置 激活 信号 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：包括多个存储单元的单元阵列；读出放大器；以及包括多条哑位线的自定时单元，用于基于其数据被读出的所述存储单元的位置来选择所述哑位线，并在读数据时产生用于控制所述读出放大器的激活定时的激活信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510008490.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：Ge－Cr合金溅射靶及其制造方法
- 下一篇：挠性铜箔/聚酰亚胺层压体的制备
