[发明专利]一种成分调制的钙钛矿类半金属复合多层膜及其用途无效

专利信息
申请号: 200510008613.0 申请日: 2005-02-28
公开(公告)号: CN1827364A 公开(公告)日: 2006-09-06
发明(设计)人: 丰家峰;韩秀峰;詹文山;杜永胜;严辉;于敦波;张国成 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: B32B15/01 分类号: B32B15/01
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 高存秀
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种成分调制的钙钛矿类半金属复合多层膜,及其在器件中的应用。该复合多层膜的核心结构为FM1/I/FM2/AFM,或AFM/FM1/I/FM2,或AFM1/FM1/I1/FM2/I2/FM3/AFM2。所有半金属铁磁性层FM1、FM2、FM3和绝缘体势垒层I、I1、I2均为钙钛矿类氧化物薄膜;所述的钙钛矿类氧化物为A1-xBxMO3型氧化物;A为选自原子序数57至71元素中的一种或多种,B为选自碱金属或碱土金属中的一种或多种;M为选自原子序数22~30,40~51和73~80元素中的一种或多种。该复合多层膜其相邻材料层之间具有良好的晶格匹配性、极小的界面应力、较好的界面层状结构等,使得其隧穿磁电阻比值非常高,可用于高灵敏度的磁敏、电敏、光敏和气敏传感器、磁性随机存取存储器存储单元以及其它自旋电子学器件。
搜索关键词: 一种 成分 调制 钙钛矿类半 金属 复合 多层 及其 用途
【主权项】:
1、一种成分调制的钙钛矿类半金属复合多层膜,其核心结构为第一半金属铁磁性层/绝缘体势垒层/第二半金属铁磁性层/反铁磁性钉扎层,或反铁磁性钉扎层/第一半金属铁磁性层/绝缘体势垒层/第二半金属铁磁性层。
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