[发明专利]金属导线结构及其制程有效
| 申请号： | 200510008634.2 | 申请日： | 2005-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1667825A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 侯锦珊;翁烔城;杨瑞玲;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/528;H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种金属导线结构及其制程，所述金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本发明能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 导线 结构 及其 | ||
【主权项】：
1、一种金属导线结构，其特征在于所述金属导线结构包括：至少两上层导线片段，沿第一方向延伸；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且经由至少两接触插栓与该上层导线片段形成电性接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510008634.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
