[发明专利]发光二极管管芯及其制造方法有效
| 申请号： | 200510008663.9 | 申请日： | 2005-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1645637A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 胡家琪;骆锦嘉;边树仁 | 申请（专利权）人： | 乐清市亿昊科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张杰 |
| 地址： | 325608浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及发光二极管管芯及其制造方法。该发光二极管管芯具有衬底、第一缓冲层、反射镜层、第二缓冲层、N型半导体层、活性层、P型半导体层、N极电极、P极电极；反射镜层由金属基底层和金属反射层组成。该发光二极管管芯的制造方法是：在衬底上依次生成第一缓冲层、金属介质层、掩膜层，然后在金属介质层生成微孔阵列，并用腐蚀剂洗去掩模层；然后在微孔阵列上沉积金属反射层；再依次生成第二缓冲层、N型半导体层、活性层和P型半导体层、P极电极和N极电极，从而得到发光二极管芯片；最后将芯片分割成管芯。本发明的发光二极管管芯的优点是在工作时可以较好地减少漏出损失和全反射损失从而提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 管芯 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管管芯，具有衬底(1)、第一缓冲层(2)、N型半导体层(51)、活性层(52)、P型半导体层(53)、N极电极(6)和P极电极(7)；第一缓冲层(2)设置在衬底(1)上，活性层(52)设置在N型半导体层(51)上，P型半导体层(53)设置在活性层(52)上，N极电极(6)位于N型半导体层(51)上，P极电极(7)位于P型半导体层(53)上；其特征在于：还具有反射镜层(3)和第二缓冲层(4)；反射镜层(3)设置在第一缓冲层(2)上，反射镜层(3)由具有微孔阵列的金属基底层(31)和沉积在金属基底层(31)的表面上及微孔阵列的微孔(31-1)中的金属反射层(32)组成；第二缓冲层(4)设置在反射镜层(3)与N型半导体层(51)之间。
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