[发明专利]场发射电极的制造方法无效

专利信息
申请号: 200510008744.9 申请日: 2005-02-25
公开(公告)号: CN1750210A 公开(公告)日: 2006-03-22
发明(设计)人: 康蓥同;郑玄喆;李相汶;李宗勉 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02;C01B31/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 李伟
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种用于制造场发射电极的方法,包括如下步骤:将阴极和阳极浸入含有分散在其中的碳纳米管的电解液中,并且向所述阴极和阳极施加预定电压,使碳纳米管沉积到设置在阳极上的衬底上;回收所述衬底并将导电聚合物施加在其上沉积有碳纳米管的衬底表面上;以及,对它们进行热处理使导电聚合物固化。
搜索关键词: 发射 电极 制造 方法
【主权项】:
1.一种用于制造场发射电极的方法,包括如下步骤:将阴极和阳极浸入含有分散在其中的碳纳米管的电解液中,并且向所述阴极和阳极施加预定电压,使碳纳米管沉积到设置在两个电极之一上的衬底上;回收所述衬底,并将导电聚合物施加在其上沉积有碳纳米管的衬底表面上;以及对它们进行热处理使所述导电聚合物固化。
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