[发明专利]可程式化二极管在读取及程式化操作期间控制电流的方法有效
| 申请号： | 200510008865.3 | 申请日： | 2005-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1697076A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;李明修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/36 | 分类号： | G11C11/36;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法。该记忆体结构在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，首先在一字元线解码晶体管的第一闸极上施加一第一电压。接着，在一位元线解码晶体管的第二闸极上施加一第二电压，其中第一电压高于第二电压。此外，位元线解码晶体管的源极电压约维持在0伏特。本发明还提出一种可程式化二极管记忆体阵列在一读取及程式化操作期间限制一字元线解码晶体管的总电流的方法。本发明所提出的方法可避免在读取及程式化操作期间由于二极管变动及负载效应所产生的电流变动，有效控制电流。 | ||
| 搜索关键词： | 程式化 二极管 读取 操作 期间 控制 电流 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，其特征在于其包括以下步骤：在一字元线解码晶体管的一第一闸极上施加一第一电压；在一位元线解码晶体管的一第二闸极上施加一第二电压，其中该第一电压高于该第二电压；在该字元线解码晶体管的一汲极上施加一第三电压；以及维持该位元线解码晶体管的一源极电压约在0伏特。
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