[发明专利]检测半导体动态量传感器的方法有效
| 申请号： | 200510009003.2 | 申请日： | 2005-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1655335A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 五藤敬介 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/84;G01P15/125 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种检测半导体动态量的方法，包括改变施加到周边固定部分(50)的电位(V4)，同时向固定电极(31、41)和可移动电极(24)施加预定电位(V1、V2)和(V3)，从而改变所述可移动电极(24)和所述支撑衬底(11)之间的电位差，并使所述可移动电极(24)在垂直于所述衬底表面的方向上位移。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 半导体 动态 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种检测半导体动态量传感器的方法，包括：沿着支撑衬底(11)的周边被固定和支撑在所述支撑衬底(11)上的半导体的周边固定部分(50)；在所述周边固定部分(50)的内侧被支撑在支撑衬底(11)上的半导体的可移动电极(24)，该可移动电极(24)可在水平方向上相对于所述衬底表面位移；以及在所述周边固定部分(50)的内侧被固定和支撑在支撑衬底(11)上的半导体的固定电极(31、41)，该固定电极(31、41)与所述可移动电极(24)相对；从而在施加动态量时，根据伴随着所述可移动电极(24)的位移的所述可移动电极(24)和所述固定电极(31、41)之间的距离的变化来检测所施加的动态量，该方法包括：改变施加到所述周边固定部分(50)的电位，同时向所述固定电极(31、41)和所述可移动电极(24)施加预定电位，从而改变所述可移动电极(24)和所述支撑衬底(11)之间的电位差，并使所述可移动电极(24)在垂直于所述衬底表面的方向上位移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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