[发明专利]紫外线传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510009027.8 | 申请日： | 2005-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1674301A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 林和志;橘武史;横田嘉宏;川上信之 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;G01J1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本兵库*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种紫外线传感器，它包括衬底；位于衬底上用作探测器的金刚石层；以及至少一对排列在金刚石层上的表面电极。此金刚石层的表面处具有探测区，此探测器具有至少一个从表面电极暴露的子区，且此子区具有位于其上的由氧化物或氟化物组成的覆盖层。一种制造紫外线传感器的方法，它包括下列步骤：在衬底上形成用作探测器的金刚石层；在金刚石层上形成至少一对表面电极；以及在存在于金刚石层表面处的探测区的至少一个子区上，形成由氧化物或氟化物组成的覆盖层，此子区被从表面电极暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外线传感器，它包含：衬底；位于衬底上用作探测器的金刚石层；以及至少一对排列在金刚石层上的表面电极，其中，此金刚石层的表面处具有探测区，此探测器具有至少一个从表面电极暴露的子区，且此子区具有位于其上的由氧化物或氟化物组成的覆盖层。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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