[发明专利]多个薄膜器件的形成有效
| 申请号： | 200510009033.3 | 申请日： | 2005-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1655341A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | P·梅;W·B·杰克逊;C·P·陶西格;A·简斯 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京;杨松龄 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个方面是形成多个薄膜器件的方法。此方法包括提供一个柔性衬底[401]并应用自对准压印光刻(SAIL)工艺在此柔性衬底[401]上形成多个薄膜器件[410]。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 形成 | ||
【主权项】：
1.一种形成多个薄膜器件的方法，包括：提供一个柔性衬底[401]；利用自对准压印光刻工艺在柔性衬底[401]上形成多个薄膜器件[410]。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
