[发明专利]具有静电放电保护电路的半导体电路的保护装置有效
| 申请号： | 200510009038.6 | 申请日： | 2005-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1667827A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | U·格拉塞;H·戈斯纳;J·施奈德;M·斯特雷布;S·巴格斯塔德特－弗兰克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体电路的ESD保护装置，其具有被连接于基板接触(SK1)及地电位连接(VSS)间且电连接至该基板接触(SK1)的至少一ESD保护组件(SD1至SD4；RS)。该ESD保护组件为ESD保护二极管(SD1至SD4)或ESD保护晶体管(ST1，ST2)形式。亦可在该基板接触(SK1)及该地电位连接(VSS)之间连接电阻器(RS)或ESD保护晶体管(ST1)以作为ESD保护组件，并另外在基板接触(SK1)及供给电压电位连接(VDD)间连接ESD保护二极管(SD2)或ESD保护晶体管(ST2)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 放电 保护 电路 半导体 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体电路，特别是集成电路中的静电放电(electrostatic discharge，ESD)保护装置，该半导体电路具有一个第一掺杂区域(SK；SK1；GS；GR)及至少两个第二掺杂区域(W1，W2)，该第一掺杂区域(SK；SK1；GS；GR)电连接至地电位连接(VSS)，而该第二掺杂区域(W1，W2)被电连接至供给电压电位连接(VDD1；VDD2；VDD，VDDP)，其特征在于一ESD保护电路(ESD_SS)乃连接于该第一掺杂区域(SK；SK1；GS；GR)及该地电位连接(VSS)间。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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