[发明专利]半导体激光器

摘要

本发明提供一种半导体激光器。以叠层在半导体基板(1)上，形成条形状发光区域，进行激光振荡的方式，叠层半导体层，从而形成半导体叠层部(9)；在其一端部，以降低反射率而达到规定的反射率的方式，形成第1电介质膜(17)；在另一端部形成第2电介质膜(18)。第1电介质膜具有满足以下条件的膜厚，即，在将激光振荡的振荡波长λ设定在一定值的、相对于氧化铝膜的厚度的反射率的变化曲线中，达到所要求的反射率，并且，在该反射率变化的曲线的斜率为正，或相对于波长的反射率变化的曲线的斜率为负，同时按光学距离为0.6λ以上的厚度。这样即使温度升高且振动波长变化也能够使输出稳定化，同时即使是高输出用也能够提高其COD能级。

主权项

1.一种半导体激光器：具有：半导体基板、以叠层在所述半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层而形成的半导体叠层部、在所述半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以按达到规定的反射率的方式形成的第1电介质膜、在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜；而且，所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，且所述氧化铝膜的厚度是满足以下条件厚度，即，在所述振荡波长λ下、相对于氧化铝膜厚度的反射率的变化曲线中，达到所要求的反射率，并且，在该反射率变化的曲线的斜率为正的同时，按光学距离为0.6λ以上的厚度。