[发明专利]差动压力传感器无效
申请号: | 200510009071.9 | 申请日: | 2005-02-17 |
公开(公告)号: | CN1657401A | 公开(公告)日: | 2005-08-24 |
发明(设计)人: | 胡贝特·本泽勒;格哈德·拉梅尔 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B3/00;G01L9/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 曾立 |
地址: | 联邦德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明描述了一种微机械的半导体元件、以及一种制造微机械的半导体元件的方法,其中,半导体元件尤其设计用作压力传感器。这里,为了制造,在一个半导体衬底上制作出一个局部有限的、埋入的、至少部分氧化的多孔的层。有利的是,接下来通过一个沟槽蚀刻工艺,从背侧直接在该多孔的第一层下面,在半导体衬底中制造出一个空洞。本发明的核心是:该多孔的第一层用作开沟槽的终止层。这样能够制造出具有很小的厚度公差的用于差动压力测量的薄膜片。 | ||
搜索关键词: | 差动 压力传感器 | ||
【主权项】:
1.制造微机械的半导体元件、尤其是压力传感器的方法,其中—为了制造,在半导体衬底(100,500)上制作出一个局部有限的、埋入的、至少部分氧化的多孔层(210,510),并且—该制造包括的方法步骤为:—在一个半导体衬底(200,500)的正面(280)上制造出一个多孔的第一层(210,510),并且—至少部分地氧化该多孔的第一层(210,510),并且—在该多孔的第一层表面上去氧化,并且—在该多孔的第一层(210,510)上以及半导体衬底上至少一个与该多孔的第一层相邻的区域上制备一个外延层(220,540),以及—在半导体衬底(200,500)中直接在该多孔的第一层(210,510)下面,通过一个沟槽蚀刻工艺,制造出一个空洞(250,570),其特征为:该多孔的第一层(210,510)是一个膜片层的至少一部分。
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