[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200510009184.9 | 申请日： | 2005-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1652329A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 三村忠昭;滨谷毅;水谷笃人;植田贤治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 臧霁晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部，由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71)，电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成，配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部，使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构，可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力，能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，作为外部连接用电极的焊盘部，由形成于最上层的第1焊盘金属层、夹着层间绝缘膜形成于所述第1焊盘金属层之下的第2焊盘金属层、以及贯通所述层间绝缘膜，电气连接第1焊盘金属层与第2焊盘金属层的通路构成，互相偏移地配置所述第1焊盘金属层的端部与第2焊盘金属层的端部，使其沿各层的厚度方向不一致。
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