[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510009350.5 | 申请日： | 2005-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1658385A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 龟山工次郎;铃木彰;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，可在抑制蚀刻工序增加的同时，最大限度地抑制半导体装置的电气特性的劣化。本发明的半导体装置在半导体衬底(10)的表面形成层积第一阻挡层(12)和铝层而构成的焊盘电极层14。另外，在半导体衬底(10)的表面粘接支承衬底(16)。在半导体衬底(10)的背面、及从半导体衬底10的背面到第一阻挡层(12)的通孔(18)内形成第二阻挡层(19)。进而完全或不完全埋入通孔(18)内而形成再配线层(21)。在再配线层(21)上形成球状端子(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：焊盘电极层，其在半导体芯片表面形成，且层积第一阻挡层和铝层或铝合金层而形成；支承体，其粘接在所述半导体芯片的表面；通孔，其从所述半导体芯片的背面到达所述第一阻挡层；再配线层，其形成在包括所述通孔内的所述半导体芯片的背面，且与所述第一阻挡层连接。
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