[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510009366.6 | 申请日： | 2005-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1658387A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 龟山工次郎;铃木彰;冈山芳央;梅本光雄;高桥健司;寺尾博;星野雅孝 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;株式会社东芝;富士通株式会社;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其包括：支承体，其粘接在所述半导体衬底的表面上，覆盖介由绝缘层形成于半导体衬底上的焊盘电极；通孔，其从所述半导体衬底的背面到达所述焊盘电极的表面而形成，其特征在于，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底背面的部分的开口直径。
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