[发明专利]半导体晶片,生产半导体晶片的装置及方法无效
| 申请号： | 200510009403.3 | 申请日： | 2005-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1652307A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 格奥尔格·皮奇;米夏埃多·克斯坦;维尔纳·布拉哈 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B7/17 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘兴鹏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生产半导体晶片的方法，包括双面磨削半导体晶片，其中，在半导体晶片的两侧采用磨具同时先粗磨削，然后精磨削其中，在粗磨削与精磨削之间的半导体晶片仍然被夹持在磨床上，并且在从粗磨削过渡到精磨削过程中，磨具继续施加基本恒定的载荷。本发明还涉及进行该生产方法的装置及所生产的半导体晶片，所生产的半导体晶片的前表面在2毫米×2毫米区域的测量窗中具有少于16纳米的局部平坦值，在10毫米×10毫米区域的测量窗中具有少于40纳米的局部平坦值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 生产 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产半导体晶片的方法，包括双面磨削半导体晶片，其中，在半导体晶片的两侧采用磨具同时磨削半导体晶片，先粗磨削，然后精磨削，其特征在于，在粗磨削与精磨削之间，半导体晶片仍然被夹持在磨床上，并且在从粗磨削过渡到精磨削过程中，磨具继续施加基本恒定的载荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
