[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510009421.1 | 申请日： | 2005-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1713390A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 柴田义行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/10;H01L27/092;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于将CMOS逻辑部和用途各异的多个DRAM部都放在同一个半导体衬底上的DRAM混载装置，使其能够在确保良好的信号保持特性的同时，实现低耗电量及高速的性能。使构成动作速度较快的第1DRAM部102的存储单元的容量，大于构成动作速度较慢的第2DRAM部103的存储单元的容量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于：包括：设置在半导体衬底上且由多个第1存储单元构成的第1DRAM部，以及设置在上述半导体衬底上且由多个第2存储单元构成的第2DRAM部；上述第1DRAM部的动作速度，大于上述第2DRAM部的动作速度；上述第1存储单元的容量，大于上述第2存储单元的容量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
