[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 200510009430.0 | 申请日: | 2005-02-16 |
公开(公告)号: | CN1655350A | 公开(公告)日: | 2005-08-17 |
发明(设计)人: | 高桥弘行;柳泽正之;园田正俊;上野好典 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;陆弋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体器件,其中对应于多个熔丝布线的回线集中布置在相同区域中。此外,回线布置在多层中。该布置产生了在熔丝布线之间没有布置回线的区域,由此允许以最小布线间距布置熔丝布线。可以替换地,半导体器件可以包含布置在多个级中的熔丝行和用于向多个级中的熔丝行分别提供信号的多个连接布线,其中其它熔丝行的连接布线布置在相邻熔丝行之间的区域中。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:多个熔丝布线;以及分别对应地连接到多个熔丝布线的多个连接布线,其中多个连接布线集中布置在一个位置中。
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