[发明专利]固态成像装置

摘要

在半导体衬底(10)的主表面中形成光电二极管(20a、20b)。光电二极管(20a)包括P⁺型半导体层(22a)和电荷积累部分(21a)，光电二极管(20b)包括P⁺型半导体层(22b)和电荷积累部分(21b)。光电二极管(20a和20b)由具有STI结构的元件隔离部分(33a)分开。构成光电二极管(20a和20b)的电荷积累部分(21a和21b)的底部位于到半导体衬底(10)的主表面比到元件隔离部分(33a)的底部更深的位置上。这样，可以提供一种固态成像装置，其中可以防止色彩混合并且电荷积累部分的容量大，并且灵敏性和饱和特性优异。

主权项

1、一种固态成像装置，包括：半导体衬底；多个光电二极管，形成在该半导体衬底的主表面上，并产生和积累对应于入射光强度的信号电荷；和元件隔离部分，该元件隔离部分是通过用绝缘膜填充在所述半导体衬底的主表面中形成的沟槽而形成的，用于分离相邻光电二极管，其中所述光电二极管的底部位于到所述半导体衬底的主表面比所述元件隔离部分的底部更深的位置。