[发明专利]磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法无效
| 申请号： | 200510009600.5 | 申请日： | 2005-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1824602A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 黄秀颀;刘峰奇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：将半绝缘磷化铟衬底进行脱氧处理；步骤B：在进行脱氧处理后的半绝缘磷化铟衬底上生长一层缓冲层，该缓冲层与磷化铟衬底晶格匹配；步骤C：在缓冲层上生长量子线和间隔层；步骤D：重复步骤C3～7次，以生长多周期量子线结构，提高量子线的尺寸和空间均匀性；步骤E：在生长多周期量子线结构之后，生长盖帽层以保护所生长的材料，完成量子线阵列的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 衬底 制备 量子 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：将半绝缘磷化铟衬底进行脱氧处理；步骤B：在进行脱氧处理后的半绝缘磷化铟衬底上生长一层缓冲层，该缓冲层与磷化铟衬底晶格匹配；步骤C：在缓冲层上生长量子线和间隔层；步骤D：重复步骤C3～7次，以生长多周期量子线结构，提高量子线的尺寸和空间均匀性；步骤E：在生长多周期量子线结构之后，生长盖帽层以保护所生长的材料，完成量子线阵列的制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510009600.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗骨质疏松的中药制剂及其制备方法
- 下一篇：一种鱼油除腥方法
