[发明专利]硅片键合强度的测量方法无效
| 申请号： | 200510009686.1 | 申请日： | 2005-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1648632A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 孙立宁;陈立国;黄庆安;陈涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01N3/24 | 分类号： | G01N3/24;G01N19/00;G06F19/00;G01B11/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 王吉东 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 硅片键合强度的测量方法，它涉及的是材料键合强度测量的技术领域。它的测量步骤是：分别测量键合硅片1中晶片1－1的厚度tw1、晶片1－2的厚度tw2001；把刀片2匀速插入1－1与1－2的结合面中，并使刀片2的刀口完全插入其结合面中，将晶片1－1与晶片1－2部分分离；刀片2的厚度tb为100μm～230μm；使刀片2的刀刃线与晶片1－1、晶片1－2的结合面相平行002；测量晶片1－1与晶片1－2分离部分中裂缝3的长度值L003；根据键合片部分分开的弹性力与开裂顶端的键合力相平衡的原理来计算键合强度值γ004。本发明能对硅片键合强度进行定量测量，其测量方法简单容易、测量结果可靠、对测量环境要求低，并具有很大的通用性和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 强度 测量方法 | ||
【主权项】：
1、硅片键合强度的测量方法，其特征在于它的测量步骤是：分别测量键合硅片(1)中晶片(1-1)的厚度(tw1)、晶片(1-2)的厚度(tw2)001；把刀片(2)匀速插入晶片(1-1)与晶片(1-2)的结合面中，并使刀片(2)的刀口完全插入其结合面中，将晶片(1-1)与晶片(1-2)部分分离；刀片(2)的厚度(tb)为100μm～230μm；使刀片(2)的刀刃线与晶片(1-1)、晶片(1-2)的结合面相平行002；测量晶片(1-1)与晶片(1-2)分离部分中裂缝(3)的长度值(L)003；根据键合片部分分开的弹性力与开裂顶端的键合力相平衡的原理来计算键合强度值γ004。
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