[发明专利]半导电高分子材料压力和温度传感器无效

专利信息
申请号: 200510009731.3 申请日: 2005-02-07
公开(公告)号: CN1654939A 公开(公告)日: 2005-08-17
发明(设计)人: 范勇;雷清泉 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;G01K7/00;G01D5/12;G01D21/02;E21B47/06
代理公司: 哈尔滨东方专利事务所 代理人: 陈晓光
地址: 150040黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 半导电高分子材料压力和温度传感器。目前,国内外还没有由半导电高分子粉末作为敏感材料做压力和温度传感器,本发明在世界上属首创。半导电高分子材料压力和温度传感器,组成包括:外壳1,所述的外壳1内装有压力传感器15和温度传感器16,在所述的传感器之间装有二极管选择开关包括正向二极管17和反向二极管18,所述的正向二极管17与压力传感器15相连,所述的反向二极管18温度传感器16相连,所述的传感器是半导体高分子材料为敏感材料的传感器,所述的半导电高分子材料包括聚省醌自由基高分子材料。本产品用于高温高压条件下包括油田潜油电泵井下的压力温度监测。
搜索关键词: 导电 高分子材料 压力 温度传感器
【主权项】:
1.一种半导电高分子材料压力和温度传感器,其组成包括:外壳,其特征是:所述的外壳内装有压力传感器和温度传感器,在所述的传感器之间装有二极管选择开关,所述的二极管分别与压力传感器或者温度传感器串连,所述的传感器是半导体高分子材料为敏感材料的传感器。
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