[发明专利]光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法无效
| 申请号： | 200510010052.8 | 申请日： | 2005-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1696242A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 何世禹;魏强;刘海;杨德庄 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C09K11/00 | 分类号： | C09K11/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法，涉及一种光电集成领域中的发光材料及其制备方法。目前制备的发光SiO2薄膜存在发光不稳定和发光强度不高，制备方法用时较长的弊端。光致发光薄膜，在硅基片表面镀制铝膜，在铝膜表面镀制SiO2薄膜，再通过质子辐射方法诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。光致发光薄膜辐照改性的制备方法：(1)在硅基片表面间接制备SiO2薄膜；(2)采用质子辐射诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。本发明选用金属铝膜可以产生对硅基体性质的保护作用，从而使得集成电路的性能保持稳定。制备时间短，工艺简单，所得SiO2薄膜光致发光在室温下稳定，没有淬灭现象，可获得波长约为375nm(3.3eV)的光致发光，利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 光致发光 薄膜 及其 辐照 改性 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光致发光薄膜，它包括硅基片、SiO2薄膜，其特征在于在硅基片表面镀制铝膜，在铝膜表面镀制SiO2薄膜，所述铝膜厚度为150～600nm，SiO2膜层厚度为100～250nm，通过质子辐射方法诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光：首先采用通用的SRIM程序计算质子射程分布，选择质子辐照能量，使入射质子主要分布于铝膜层中；质子辐照剂量为5×1014～5×1017cm-2，辐照剂量率为1×1012～1×1013cm-2·s-1，辐照过程在低温77-150K下进行。
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