[发明专利]一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 200510010085.2 | 申请日： | 2005-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1724453A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 温广武;李峰;白宏伟;韩兆祥 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C04B35/01;C04B35/622;C04B35/64;C03B32/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 单军 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备工艺。为了解决现有硅基陶瓷只能在1200～1300℃以下长期稳定使用、可靠性差、相对成本高的不足，本发明按照如下步骤制备：合成SiONC先驱体；合成SiBONC先驱体；对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；其核心在于SiONC先驱体是这样合成的：以有机硅油和烷基胺为原料，用有机溶剂溶解，混合搅拌，并在70～100℃保温20～30小时，合成SiONC先驱体。本发明热压得到的制品抗弯强度在60～300MPa，断裂韧性为1.4～3.0MPa/m1/2，保持非晶态的温度为1000～2000℃，在1000℃时高温力学性能损失率为10～50％，抗蠕变能力提高到1500～1800℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 稳定 sibonc 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它包括如下步骤：(一)合成SiONC先驱体；(二)合成SiBONC先驱体；(三)对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；其特征在于步骤(一)中SiONC先驱体是这样合成的：以有机硅油和烷基胺为原料，用有机溶剂溶解，混合搅拌，并在70～100℃保温20～30小时，合成SiONC先驱体。
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