[发明专利]一种碳化硅纳米纤维的制备方法无效
| 申请号： | 200510010086.7 | 申请日： | 2005-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1724351A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 温广武;李峰;韩兆祥 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82B3/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 单军 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种碳化硅纳米纤维的制备方法，它涉及一种陶瓷纤维的制备工艺。为了解决现有方法反应时间长、获得的SiC纳米纤维纯度低的缺点，本发明按照如下步骤制备SiC纳米纤维：将SiBONC粉末置于气氛保护烧结炉中，在氮气或惰性气体保护下对材料进行热处理，得到SiC纳米纤维，其中热处理温度为1200℃～1900℃，保温时间为0.5～4个小时。本发明制备出的SiC纳米纤维的主要晶相为结晶程度较高的β－SiC，由于在生长过程中没有使用催化剂，纤维的杂质含量极低，纤维的直径在20～200nm之间，长度在几个毫米之间，表面光滑，长径比大于100。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 纳米 纤维 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碳化硅纳米纤维的制备方法，其特征在于它按照如下步骤进行制备：将SiBONC粉末置于气氛保护烧结炉中，在氮气或惰性气体保护下对材料进行热处理，得到SiC纳米纤维，其中热处理温度为1200℃～1900℃，保温时间为0.5～4个小时。
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