[发明专利]赤霉素GA1的简便制备方法无效
申请号: | 200510010866.1 | 申请日: | 2005-06-22 |
公开(公告)号: | CN1775768A | 公开(公告)日: | 2006-05-24 |
发明(设计)人: | 张洪彬;吴松福;陈静波;刘建平;李良;刘小龙;杨万松;朱洁;赵静峰 | 申请(专利权)人: | 云南大学;云大科技股份有限公司 |
主分类号: | C07D307/77 | 分类号: | C07D307/77 |
代理公司: | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈左 |
地址: | 650091*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 赤霉素GA1 (3β,10α,13α-三羟基-20-失碳赤霉-16-烯-7,19-双酸-19-10内酯)的简便制备方法,它是用工业化发酵法生产的GA3作起始原料,经过一系列易于工业化的化学反应合成得到GA1,本发明将GA3溶解于醇等有机溶剂中,加入一定比例的三乙胺等有机碱及铂或钯为催化剂,室温条件下通氢气(H2)反应,然后将氢化得到的产物进行卤代内酯化,并将卤代内酯化产物重结晶后用锌及水合氯化镍(Zn/NiCl2·XH2O),硼氢化钠条件下脱除卤素得目标产物GA1,本发明反应条件温和、成本较低、易于操作,适宜于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 赤霉素 ga sub 简便 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种具有下述结构式(I)的赤霉素GA1(3β,10α,13α-三羟基-20-失碳赤霉-16-烯-7,19-双酸-19-10内酯)的简便制备方法
其特征是以发酵得到的赤霉酸GA3为起始原料,经催化氢化,卤代内酯化以及脱除卤素反应后重结晶得到化合物(I)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南大学;云大科技股份有限公司,未经云南大学;云大科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510010866.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双簧晾衣撑架
- 下一篇:在多用户通信系统中增强的编码的方法和装置
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法