[发明专利]基于无序多壁碳纳米管的红外激光功率探测器无效
申请号: | 200510011172.X | 申请日: | 2005-01-14 |
公开(公告)号: | CN1632476A | 公开(公告)日: | 2005-06-29 |
发明(设计)人: | 刘晓萌;孙家林;朱嘉麟;李俊林;吴念乐 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 基于无序多壁碳纳米管的红外激光功率探测器,该探测器包括一片由多壁碳纳米管粉末压成的薄片和一金属基片,即把多壁碳纳米管薄片的一面与金属基片紧密接触,另一面覆以金属导电薄膜。工作时,先把金属导电薄膜和金属基片分别用导线和外电路测量仪表相连接,然后将被测红外激光入射到金属导电薄膜的表面,这样,随着入射光强的变化,电路中将产生不同强度的光致电流,且在光强增大时电流增大,光强减小时电流减小。本发明相对于现有技术,结构简单,制作方便,而且光电响应速度快,对红外波段光非常敏感,其探测响应时间为秒量级。该器件在红外激光功率测量领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 基于 无序 多壁碳 纳米 红外 激光 功率 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种基于无序多壁碳纳米管的红外激光功率探测器,其特征在于:包括一片由多壁碳纳米管粉末压成的薄片(2),设置在薄片一侧且与薄片紧密接触的金属基片(1)和设置在薄片另一侧的金属导电薄膜(3),并在金属导电薄膜和金属基片上引出电极。
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