[发明专利]基于一维光子晶体的腔结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200510011368.9 | 申请日： | 2005-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1829014A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 章蓓;徐军;张振生 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本项发明提出一种基于光子晶体的新型的适于研制GaN腔镜面的结构和方法。本发明采用深度刻蚀半导体微结构形成半导体与空气交替变化的一维周期性光子晶体结构，采用先进的直写式聚焦离子束(FIB)亚微米微加工技术和简化的工艺步骤，制作出半导体激光器的谐振腔镜面。本发明制备半导体激光二极管的腔镜面至少有一个由聚焦离子束刻蚀一维光子晶体加工而成。所述的一维光子晶体为：半导体与空气交替变化的一维周期性光子晶体。另外一个腔镜面采用自然解理腔镜面或干法刻蚀制备的腔镜面，或者是由聚焦离子束刻蚀加工成抛光的腔镜面。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光子 晶体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于一维光子晶体的腔结构，半导体激光二极管边发射条形结构的两端面有前后两个谐振腔镜面，其特征在于：两个腔镜面中至少有一个为聚焦离子束刻蚀一维光子晶体结构；所述的一维光子晶体结构为：半导体与空气交替变化的一维周期性光子晶体；另外一个腔镜面采用自然解理腔镜面或干法刻蚀制备的腔镜面，或者是由聚焦离子束刻蚀加工成抛光的腔镜面。
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