[发明专利]用于MEMS键合工艺的硅熔融键合方法无效

专利信息
申请号: 200510011437.6 申请日: 2005-03-17
公开(公告)号: CN1663907A 公开(公告)日: 2005-09-07
发明(设计)人: 刘勐;张威 申请(专利权)人: 北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司
主分类号: B81C5/00 分类号: B81C5/00;H01L21/00;H01L21/77
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所 代理人: 俞达成
地址: 100871北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种简便易行的替代工艺方法,解决在大规模MEMS器件生产中键合工艺生产效率低下的难题。本发明采用玻璃粉做为待键合硅片间的介质,溶解在化学溶剂中后,在一定的温度下保存一定时间,然后通过丝网印刷或旋转涂覆工艺,在待键合的下硅片表面涂覆上一层玻璃浆,经过手动或机器对准后,通过控制硅片键合时的压力以及升降温梯度、键合温度与时间,完成硅片与硅片的键合。本发明对要键合的硅片的表面光洁度要求不高,降低了对键合设备的需求,通过所述的工艺步骤操作,可以大大降低键合应力,并且没有硅/玻璃阳极键合通常会出现的空洞等键合缺陷,可以提高划片速度,提高了在MEMS加工领域的器件生产速度。
搜索关键词: 用于 mems 工艺 熔融 方法
【主权项】:
1.一种用于MEMS键合工艺的硅熔融键合方法,采用玻璃粉做为待键合硅片间的介质,具体步骤如下:1)按照玻璃粉与溶剂松油醇5∶1的比例,配制玻璃浆溶液;2)清洗待键合的硅片表面;3)等玻璃浆冷却到室温后,对硅片进行玻璃浆涂覆;4)按照键合的方向要求放置要键合的硅片;5)设定真空和键合压力,并设定升降温程序;6)在温度达到420~430℃后,停止升温,并在该温度停留15~20分钟后,进行降温;7)降温到室温后,完成键合操作。
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