[发明专利]热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法无效
| 申请号： | 200510011463.9 | 申请日： | 2005-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1657892A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张威;吴健昌;张大成 | 申请（专利权）人： | 北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，包括以下步骤：1)光刻淀积了金属的硅片，形成管芯电极及老化所需引线；2)为老化引线接电极，并将所述硅片整体放入老化设备中进行老化；3)老化完成后将所述老化引线刻蚀掉。本发明利用管芯在硅片上有规律分布的特点，通过巧妙的引线设计在硅片上一次完成所有管芯的互连，在老化时大圆片上所有的管芯都得到电老化，使早期失效管芯在终测时一并被剔除，从而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相对于现在管芯在压焊封装后再进行老化筛选，简化了老化方法，减少了所需使用的老化设备，大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 压阻式 mems 压力传感器 芯片级 老化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)光刻淀积了金属的硅片，形成管芯电极及老化所需引线；2)为老化引线接电极，并将所述硅片整体放入老化设备中进行老化；3)老化完成后将所述老化引线刻蚀掉。
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