[发明专利]焦平面读出电路像素单元电路无效
申请号: | 200510011535.X | 申请日: | 2005-04-07 |
公开(公告)号: | CN1845586A | 公开(公告)日: | 2006-10-11 |
发明(设计)人: | 高峻;陈中建;贾嵩;鲁文高;吉利久 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H04N5/33 | 分类号: | H04N5/33;H01L27/14 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种焦平面读出电路像素单元电路,属于微电子及光电子成像技术领域。该电路包括:一MOS注入管和一差分运算放大器,MOS注入管源端与探测器相连接,MOS注入管漏端作为电流输出端口,差分运算放大器的正输入端接固定电压,差分运算放大器的输出接MOS注入管的栅端,在MOS注入管漏端和差分运算放大器负输入端之间串联一自校正用电容,将差分运算放大器的失调电压存储在该自校正用电容中。本发明通过在BDI电路的基础上加入自校正步骤,尽可能消除工艺偏差引入的探测器偏置电压改变,从而减小了固定模式噪声。 | ||
搜索关键词: | 平面 读出 电路 像素 单元 | ||
【主权项】:
1、一种焦平面读出电路像素单元电路,其包括:一MOS注入管和一差分运算放大器,MOS注入管源端与探测器相连接,MOS注入管漏端作为电流输出端口,差分运算放大器的正输入端接固定电压,差分运算放大器的输出接MOS注入管的栅端,其特征在于:在MOS注入管漏端和差分运算放大器负输入端之间串联一自校正用电容,将差分运算放大器的失调电压存储在该自校正用电容中。
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