[发明专利]GaN基发光器件制作方法及其器件结构无效
| 申请号： | 200510011661.5 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1707820A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;韩彦军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于氮化镓基发光器件的制作领域，其特征是通过在衬底材料和部分外延层中或仅在衬底材料中形成槽孔，并填充以热导率比衬底材料热导率高的材料来有效降低器件的热阻，从而提高包括LED发光效率等在内的器件各项性能指标。本发明有效消除了衬底材料热导率低或热膨胀系数失配等弊端，可获得高性能的GaN基发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光 器件 制作方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光器件制作方法，包括材料外延、刻蚀、接触电极制作，其特征在于：通过利用干法刻蚀或湿法刻蚀将衬底腐蚀出需要的图形以形成槽孔，并填充上反射率高、热导率远大于衬底热导率的材料以有效降低GaN基发光器件的热阻，提高其发光效率。
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