[发明专利]用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法无效
| 申请号： | 200510011741.0 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1865491A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 彭长涛;陈诺夫;吴金良;尹志冈;杨霏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1－x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为Ps；4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts；5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10－3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 衬底 外延 生长 铟砷锑 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为Ps；4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts；5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10-3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。
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