[发明专利]一种FeSi2纳米结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200510011806.1 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1696049A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 许北雪;沈德忠;吴锦雷;沈光球 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;C01B33/06;C01G49/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种FeSi2纳米结构及其制备方法，属于微电子器件、纳米电子器件和光电子器件领域。其结构特征是FeSi2纳米带在硅(100)晶面上沿两个互相垂直的<110>方向生长，自组织形成网状纳米结构。其制备方法是利用矩形波导中TE10模微波在反应腔室内形成的特殊电磁场分布，以及硅基底与TE10模微波的特殊匹配方式，将沉积在硅基底上的铁纳米团簇进行磁化和磁力驱动，使其自组织排列生长，并进一步与硅基底反应，最终形成FeSi2纳米带和纳米结构。本发明可作为电连接材料用于自组织生长碳纳米管集成电路，或作为结构材料用于构筑各种MEMS器件和光电子器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fesi sub 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种FeSi2纳米结构，其特征在于，这种FeSi2纳米结构中的FeSi2纳米带在硅(100)晶面上沿两个互相垂直的<110>方向自组织生长排列，形成网状结构。
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