[发明专利]一种低温桥路型超导故障限流器无效

专利信息
申请号: 200510011831.X 申请日: 2005-06-01
公开(公告)号: CN1874102A 公开(公告)日: 2006-12-06
发明(设计)人: 赵彩宏;黄晓华;肖立业;林良真;余运佳 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 关玲
地址: 100080北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种用于输配电网的低温桥路型超导故障限流器,安装于系统线路出口处与断路器DL相串联,由四个MOSFET[T1、T2、T3、T4]组成整流桥,MOSFET[T1、T3]组成一个桥臂,[T2、T4]组成另一个桥臂;其直流侧联接超导线圈[L],交流侧串联于交流线路中;构成低温部分的功率场效应晶体管(Power MOSFET),特别是其高压器件置于液氮温区;两根整流桥交流侧的电流引线引出与系统相连。本发明利用了MOSFET在低温下通态损耗降低、电流工作区提高,二极管在低温下管压降升高的优点,使装置效率高,结构简单,运行可靠,也有利于系统的串并联,提高了应用电网的电压等级和限流能力,提高系统的稳定性。
搜索关键词: 一种 低温 桥路型 超导 故障 限流
【主权项】:
1、一种低温桥路型超导故障限流器,其特征在于它连接于AC电力系统线路出口母线处,由四个MOSFET【T1、T2、T3、T4】组成整流桥,MOSFET[T1、T3]组成一个桥臂,[T2、T4]组成另一个桥臂;其直流侧联接超导线圈[L],交流侧串联于交流线路中;构成低温部分的功率场效应晶体管(Power MOSFET),特别是其高压器件置于液氮温区;两根整流桥交流侧的电流引线引出与系统相连。
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