[发明专利]用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510011859.3 申请日: 2005-06-03
公开(公告)号: CN1719626A 公开(公告)日: 2006-01-11
发明(设计)人: 庄大明;张弓;郑麒麟;李秋芳;向华 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C22C1/02;C22C9/00;C22C28/00;C23C14/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法,涉及光电产业及半导体产业所需的金属溅射靶材及其制备。其是将铜、镓单质金属混合,在气体保护下或真空中,熔炼后浇注,同时急冷成型;所形成的合金溅射靶材,镓的原子百分比含量为25%~67%,具有微细化及高均质化的特性。本发明具有工艺简便,效率高,成本低,稳定性好等优点,通过简便的急冷成型工艺,避免了繁琐的工序,为磁控溅射铜铟镓硒吸收层前驱膜的制备工艺提供了便捷和稳定的保证。
搜索关键词: 用于 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶,其特征在于:靶材中镓与铜的原子百分比含量分别为25%~67%和75%~33%,其晶粒小于30微米。
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