[发明专利]用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法无效
申请号: | 200510011859.3 | 申请日: | 2005-06-03 |
公开(公告)号: | CN1719626A | 公开(公告)日: | 2006-01-11 |
发明(设计)人: | 庄大明;张弓;郑麒麟;李秋芳;向华 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C22C1/02;C22C9/00;C22C28/00;C23C14/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法,涉及光电产业及半导体产业所需的金属溅射靶材及其制备。其是将铜、镓单质金属混合,在气体保护下或真空中,熔炼后浇注,同时急冷成型;所形成的合金溅射靶材,镓的原子百分比含量为25%~67%,具有微细化及高均质化的特性。本发明具有工艺简便,效率高,成本低,稳定性好等优点,通过简便的急冷成型工艺,避免了繁琐的工序,为磁控溅射铜铟镓硒吸收层前驱膜的制备工艺提供了便捷和稳定的保证。 | ||
搜索关键词: | 用于 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶,其特征在于:靶材中镓与铜的原子百分比含量分别为25%~67%和75%~33%,其晶粒小于30微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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